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Contrôle des propriétés électroniques des matériaux quasi-2D sous contraintes biaxiales (Document en Anglais)

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Modalités de diffusion de la thèse :

Thèse consultable sur internet, en texte intégral.

Informations sur les contributeurs

Auteur : Gallo--Frantz Antoine

Gallo--Frantz, Antoine

Nom

Gallo--Frantz

Prénom

Antoine

Nationalité

Français

Date de soutenance : 24-03-2025

Directeur(s) de thèse : Le Bolloc'h David

Le Bolloc'h, David

Nom

Le Bolloc'h

Prénom

David

- Jacques Vincent

Jacques, Vincent

Nom

Jacques

Prénom

Vincent

Etablissement de soutenance : université Paris-Saclay

université Paris-Saclay

Nom

université Paris-Saclay

Laboratoire : Laboratoire de physique des solides (Orsay, Essonne)

Laboratoire de physique des solides (Orsay, Essonne)

Nom

Laboratoire de physique des solides (Orsay, Essonne)

Ecole doctorale : École doctorale Physique en Île-de-France (Paris ; 2014-....)

École doctorale Physique en Île-de-France (Paris ; 2014-....)

Nom

École doctorale Physique en Île-de-France (Paris ; 2014-....)

Informations générales

Discipline : Physique
Classification : Physique

Mots-clés libres : Systèmes électroniques de basse dimensionnalité, Onde de densité de charge, Grands instruments, Diffraction des rayons X, Transport électronique, Déformation mécanique
Mots-clés :

Conducteurs unidimensionnels
Ondes de densité de charge
Électricité -- Transport -- Courant continu
Élasticité
Diffraction des rayons X

Résumé : Dans le cadre de la recherche permanente de nouvelles propriétés des matériaux qui pourraient présenter un intérêt fondamental et applicatif, des efforts sont constamment déployés pour fabriquer de nouveaux matériaux et les étudier dans des conditions inédites. Pour ce faire, les diagrammes de phase doivent être étudiés de la manière la plus exhaustive possible. De nombreux paramètres sont couramment modifiés pour accéder aux paramètres physiques des matériaux : température, pression, champs magnétiques et électriques, dopage ou substitution chimique, etc. Dans ce travail, nous suivrons une nouvelle voie originale et prometteuse pour accéder aux nouvelles propriétés électroniques des matériaux cristallins, en effectuant une déformation biaxiale à température cryogénique et à température ambiante, et en allant au-delà des réalisations actuelles dans ce domaine. En effet, les propriétés électroniques sont intimement liées à la structure atomique des cristaux, et toute déviation de celle-ci peut conduire à des propriétés radicalement différentes, comme un déplacement des températures de transition de phase, ou même conduire à de nouvelles phases atomiques ou électroniques. Nous appliquerons cette méthodologie aux matériaux présentant des lacunes électroniques, car ils présentent des propriétés électroniques fantastiques et diverses, pertinentes pour les applications : semi-conducteurs, supraconducteurs et systèmes métal-isolant en général. Plus précisément, nous étudierons de nouvelles phases dans des systèmes quasi-2D, les $RTe_3$ ($R$ = terre rare) qui présentent déjà des ondes de densité de charge (ODC) et une supraconductivité (SC) dans le diagramme de phase (T,P), et nous étudierons l'évolution des températures de transition en fonction de la déformation biaxiale. Pour cela, un instrument de déformation biaxiale fonctionnant à basse température et compatible avec la diffraction des rayons X, les mesures de transport in-situ et les mesures optiques est en cours de développement au Laboratoire de Physique des Solides. Dans un premier temps, ce nouvel équipement sera assemblé et caractérisé et des premiers tests de déformation biaxiale seront effectués, en suivant la déformation des échantillons par diffraction des rayons X. Ensuite, les deformations seront induites dans échantillons ou les paramètres structuraux seront mesurés ainsi que des paramètres liés aux ODC tel que la température de transition. Enfin les changements de résistivité avec des mesures de transport in-situ seront suivi pour obtenir des informations sur les changements liés à la géométrie de la surface de Fermi.

Informations techniques

Type de contenu : Text
Format : PDF

Informations complémentaires

Entrepôt d'origine :

STAR : dépôt national des thèses électroniques françaises

Identifiant : 2025UPASP020
Type de ressource : Thèse

Fiche descriptive