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Effets électriques sur les conductances thermique d’interface métal/semiconducteur (Document en Français)
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Modalités de diffusion de la thèse :
  • Thèse consultable sur internet, en texte intégral.
 
Informations sur les contributeurs
Auteur : Pompidou Quentin
Pompidou, Quentin
Nom
Pompidou
Prénom
Quentin
Nationalité
Français

Date de soutenance : 13-02-2025

Directeur(s) de thèse : Horny Nicolas
Horny, Nicolas
Nom
Horny
Prénom
Nicolas


Etablissement de soutenance : Reims
Reims
Nom
Reims

Laboratoire : Institut de Thermique, Mécanique, Matériaux (ITheMM) - EA 7548
Institut de Thermique, Mécanique, Matériaux (ITheMM) - EA 7548
Nom
Institut de Thermique, Mécanique, Matériaux (ITheMM) - EA 7548

Ecole doctorale : École doctorale Mathématiques Physique Sciences du Numérique et de l'Ingénieur (Reims ; 2018-)
École doctorale Mathématiques Physique Sciences du Numérique et de l'Ingénieur (Reims ; 2018-)
Nom
École doctorale Mathématiques Physique Sciences du Numérique et de l'Ingénieur (Reims ; 2018-)

  
Informations générales
Discipline : Thermique et énergétique
Classification : Sciences de l'ingénieur

Mots-clés libres : Propriétés thermiques, Conductance thermique d'interface, Résistance thermiques d'interaces, Radiométrie photothermique, Semi-Conducteurs, Diode Schottky
Mots-clés :
  • Matériaux -- Propriétés thermiques
  • Radiométrie
  • Semiconducteurs
  • Dissipation d'énergie
  • Chaleur perdue
  • Diodes à barrière de Schottky
Résumé : Depuis des décennies, les pertes de chaleurs sont devenues d'une importance capitale pour la production d'énergie. Avec la demande croissante, les industriels ont fait naître le besoin pour de nouvelles technologies contre ces pertes. Un des acteurs principaux est l'industrie du semi-conducteur. En effet, leurs produits sont plus complexes qu'ils ne l'étaient par le passé, afin de permettre des opérations d'avantage sophistiquées. Aujourd'hui, ces composants électriques sont des hétérostructures composées de nombreux éléments à l'échelle nanométrique et d'une grande densité d'interfaces. Cela crée un problème de dissipation de chaleur, dû aux résistances que cela représente pour le flux thermique. C'est ici que ce travail s'insère. Il vise à améliorer la connaissance sur le phénomène de transport aux interfaces, la Conductance Thermique d'Interface (TBC), avec les variations de propriétés électriques des composants. Pour se faire, la Radiométrie Photo-Thermique (PTR) est utilisée pour déterminer la grandeur, et en appliquant différents stimulis électriques, espérant un changement de TBC.Ainsi, la TBC est en fonction de trois paramètres électriques d'intérêt : i) la hauteur de barrière schottky (SBH), la barrière d'énergie apparaissant à l'interface entre un métal et un semi-conducteur; ii) le niveau de dopage du semi-conducteur, le nombre d'impureté controllée dans le semi-conducteur; iii) le flux de charges à l'interface. Ces grandeurs sont étudiées avec l'aide de diverses techniques de mesures électriques. Finalement, une fois les mesures faites, les résultats de TBC comparés aux relevés des caractérisations électriques donnent des informations sur l'influence des paramètres électriques sur le transport thermique d'interface.En parallèle, le protocole PTR est amélioré en un setup plus précis. Cela permet de sonder des échantillons plus petits qu'avant. La mise à l'épreuve de cet appareil de caractérisation est faite à l'aide de mesures sur des matériaux de VO2 et le GST, deux matériaux à changement de phase (PCM), ainsi que d'autres échantillons dont le signal radiométrique permet l'exploitation des données.
  
Informations techniques
Type de contenu : Text
Format : PDF
  
Informations complémentaires
Entrepôt d'origine : STAR : dépôt national des thèses électroniques françaises
Identifiant : 2025REIMS003
Type de ressource : Thèse
À propos Aide
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