Assas Recherche | Hopping et Tunnelling assisté par pièges dans les mémoires non volatile à base d’oxyde métallique

Hopping et Tunnelling assisté par pièges dans les mémoires non volatile à base d’oxyde métallique (Document en Français)

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Modalités de diffusion de la thèse :

Thèse consultable sur internet, en texte intégral.

Informations sur les contributeurs

Auteur : Ait Abdelkader Nazim

Ait Abdelkader, Nazim

Nom

Ait Abdelkader

Prénom

Nazim

Nationalité

Français

Date de soutenance : 21-06-2024

Directeur(s) de thèse : Rafhay Quentin

Rafhay, Quentin

Nom

Rafhay

Prénom

Quentin

Etablissement de soutenance : Université Grenoble Alpes

Université Grenoble Alpes

Nom

Université Grenoble Alpes

Laboratoire : Centre de radiofréquences, optique et micro-nanoélectronique des Alpes (Grenoble, Isère, France ; Chambéry ; 2007-....)

Centre de radiofréquences, optique et micro-nanoélectronique des Alpes (Grenoble, Isère, France ; Chambéry ; 2007-....)

Nom

Centre de radiofréquences, optique et micro-nanoélectronique des Alpes (Grenoble, Isère, France ; Chambéry ; 2007-....)

Ecole doctorale : École doctorale électronique, électrotechnique, automatique, traitement du signal (Grenoble ; 199.-....)

École doctorale électronique, électrotechnique, automatique, traitement du signal (Grenoble ; 199.-....)

Nom

École doctorale électronique, électrotechnique, automatique, traitement du signal (Grenoble ; 199.-....)

Informations générales

Discipline : Nanoélectronique et nanotechnologie
Classification : Sciences de l'ingénieur

Mots-clés libres : Mémoire, Oxyde, OxRAM, Hopping, Tunnel
Mots-clés :

Mémoires non-volatiles à accès sélectif
Ordinateurs -- Mémoires
Effet tunnel
Oxydes métalliques

Résumé : Les ReRAM, en particulier l'OxRAM, sont reconnues comme des technologies essentielles pour les applications émergentes en raison de leur haute densité, de leur accès rapide, de leur endurance et de leur intégration dans le back-end-of-line. Toutefois, les modèles régissant le mécanisme de conduction dans les OxRAM ont suscité de nombreux débats au cours des quinze dernières années. Cette thèse présente un nouveau formalisme qui implique la résolution des niveaux de Fermi des pièges pour assurer un courant constant entre eux. Ce formalisme a permis d'explorer deux modèles de courant sans recourir à des approches d'identification du chemin le plus conducteur. Un modèle généralisé de Tsu-Esaki, basé sur une conduction entre un continuum d'états, a été exposé mais n'a cependant pas été en mesure de reproduire de manière précise le comportement électrique dans les deux états de résistance de l'OxRAM. En revanche, un deuxième modèle basé sur l'équation de Miller et Abrahams, impliquant une conduction entre états liés, a démontré sa capacité à fournir un excellent ajustement aux données expérimentales, tout en utilisant un nombre de pièges beaucoup plus raisonnable par rapport aux approches existantes. Des énergies d'activation thermique ont également été calculées pour étudier la possibilité d'identifier ces mécanismes de manière expérimentale. Enfin, une partie expérimentale a été intégrée à cette thèse, consistant en une tentative de caractérisation électrique en fonction de la température afin d'identifier le ou les mecanismes de conduction dans une OxRAM.

Informations techniques

Type de contenu : Text
Format : PDF

Informations complémentaires

Entrepôt d'origine :

STAR : dépôt national des thèses électroniques françaises

Identifiant : 2024GRALT042
Type de ressource : Thèse

Fiche descriptive