Assas Recherche | Conception de protection 3D contre les décharges électrostatiques (ESD) en technologie silicium avancée sur isolant (FD SOI) film mince multi couches

Conception de protection 3D contre les décharges électrostatiques (ESD) en technologie silicium avancée sur isolant (FD SOI) film mince multi couches (Document en Anglais)

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Modalités de diffusion de la thèse :

Thèse consultable sur internet, en texte intégral.

Informations sur les contributeurs

Auteur : De conti Louise

De conti, Louise

Nom

De conti

Prénom

Louise

Nationalité

Français

Date de soutenance : 02-10-2019

Directeur(s) de thèse : Galy Philippe

Galy, Philippe

Nom

Galy

Prénom

Philippe

- Cristoloveanu Sorin

Cristoloveanu, Sorin

Nom

Cristoloveanu

Prénom

Sorin

- Vinet Maud

Vinet, Maud

Nom

Vinet

Prénom

Maud

Etablissement de soutenance : Université Grenoble Alpes (ComUE)

Université Grenoble Alpes (ComUE)

Nom

Université Grenoble Alpes (ComUE)

Laboratoire : Centre de radiofréquences, optique et micro-nanoélectronique des Alpes (Grenoble, Isère, France ; Chambéry ; 2007-....)

Centre de radiofréquences, optique et micro-nanoélectronique des Alpes (Grenoble, Isère, France ; Chambéry ; 2007-....)

Nom

Centre de radiofréquences, optique et micro-nanoélectronique des Alpes (Grenoble, Isère, France ; Chambéry ; 2007-....)

Ecole doctorale : École doctorale électronique, électrotechnique, automatique, traitement du signal (Grenoble ; 199.-....)

École doctorale électronique, électrotechnique, automatique, traitement du signal (Grenoble ; 199.-....)

Nom

École doctorale électronique, électrotechnique, automatique, traitement du signal (Grenoble ; 199.-....)

Informations générales

Discipline : Nanoe?lectronique et nanotechnologie
Classification : Sciences de l'ingénieur

Mots-clés libres : Esd, Fd-Soi, 3d, Film mince, Décharges électrostatiques, Tcad
Mots-clés :

Décharges électriques
Transistors en couches minces
Électrostatique
Circuits intégrés tridimensionnels

Résumé : L’objectif de la thèse était de concevoir des composants de protection contre les décharges électrostatiques (ESD) sur film mince de silicium en technologie 28nm FD-SOI de chez STMicroelectronics (technologie silicium sur isolant « Silicon-On-Insulator » (SOI) entièrement déplété « Fully Depleted » (FD)). Cette technologie est caractérisée par un film de silicium, un oxyde enterré ultra minces (UTBB), et par une grille métallique avec oxyde à haute permittivité (high-k). En prenant en compte ces caractéristiques, des composants existants ont été étudiés et de nouvelles solutions technologiques ont été proposées pour les améliorer. De plus, de nouveaux composants ont été élaborés. Ils ont été simulés en 3D avec le logiciel TCAD afin de comprendre leur comportement électrique. Des plaques de silicium ont été mesurées afin de vérifier la réponse des composants lors de tests typiques pour les ESD. Ce travail ouvre la voie pour des composants de protection contre les décharges électrostatiques conçus dans le film mince avec une attention spéciale pour l’aspect 3D, tel que (i) la possibilité d’implémenter la protection dans un circuit intégré 3D monolithique, (ii) la conception de matrice en tant que composant de protection, et (iii) la fusion de différents composants pour bénéficier d’une conduction de courant en 3D.

Informations techniques

Type de contenu : Text
Format : PDF

Informations complémentaires

Entrepôt d'origine :

STAR : dépôt national des thèses électroniques françaises

Identifiant : 2019GREAT051
Type de ressource : Thèse

Fiche descriptive