Version accessible
  • fr
  • en
Recherche rapide
  • Aide
  • Recherche avancée
  • Nouveautés
Naviguer par :
  • Accueil
  • Mémoires
    • Nouveautés
      Recherche de nouveautés dans les ressources documentaires
    • Par master
      Recherche par master
    • Recherche avancée
      Recherche de ressources documentaires
    • Tous les mémoires
  • Thèses
    • Nouveautés
      Recherche de nouveautés dans les thèses
    • Recherche avancée
      Recherche de ressources
    • Par auteur
      Recherche par auteur
    • Par année
      Recherche par année de soutenance
    • Par laboratoire
      Recherche par laboratoire
    • Par thème
      Recherche thématique
    • Par école doctorale
      Recherche par école doctorale
    • Toutes les thèses
  • Publications de recherche
    • Nouveautés
      Recherche de nouveautés dans les ressources documentaires
    • Par laboratoire de recherche
      Recherche par laboratoire
    • Recherche avancée
      Recherche de publication de recherche
    • Toutes les publications de recherche
  • Tous les documents
    • Nouveautés
      Recherche des nouveautés
    • Recherche avancée
      Recherche avancée sur plusieurs formats
    • Toutes les ressources

Fiche descriptive

  • Vous êtes ici :
  • Accueil
  • »
  • Fiche descriptive
???menu.description..???
  • Imprimer
  • Version PDF
  • Version XML
  • Ajouter à ma sélection
  • Partager
  • Courriel
  • Twitter
  • Facebook
  • del.icio.us
  • BlogMarks
  • Viadeo
  • LinkedIn
Intégration sur silicium de solutions complètes de caractérisation en puissance de transistor HBT en technologie BiCMOS 55 nm à des fréquences au-delà de 130 GHz (Document en Français)
Accès au(x) document(s)
Accéder au(x) document(s) :
  • https://pepite-depot.univ-lille.fr/LIBRE/EDSPI/2017/50376-2017-Bossuet.pdfLien brisé : nonDroits d'accès : non autorisé
Ce document est protégé en vertu du Code de la Propriété Intellectuelle.

Version :
  • Thèse avec 2 versions : seule la version intégrale est proposée ; sur authentification (communication intranet).
 
Informations sur les contributeurs
Auteur : Bossuet (Bossuet), Alice
Bossuet (Bossuet), Alice
Nom
Bossuet
Nom de naissance
Bossuet
Prénom
Alice
Nationalité
Français

Date de soutenance : 20-03-2017

Directeur(s) de thèse : Gaquière Christophe
Gaquière, Christophe
Nom
Gaquière
Prénom
Christophe
- Fournier Jean-Michel
Fournier, Jean-Michel
Nom
Fournier
Prénom
Jean-Michel
- Lauga-Larroze Estelle
Lauga-Larroze, Estelle
Nom
Lauga-Larroze
Prénom
Estelle


Etablissement de soutenance : Lille 1
Lille 1
Nom
Lille 1

Laboratoire : Institut d'Electronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie
Institut d'Electronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie
Nom
Institut d'Electronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie
- Centre de radiofréquences, optique et micro-nanoélectronique des Alpes (Grenoble, Isère, France ; Chambéry ; 2007-....)
Centre de radiofréquences, optique et micro-nanoélectronique des Alpes (Grenoble, Isère, France ; Chambéry ; 2007-....)
Nom
Centre de radiofréquences, optique et micro-nanoélectronique des Alpes (Grenoble, Isère, France ; Chambéry ; 2007-....)

Ecole doctorale : École doctorale Sciences pour l'Ingénieur (Lille)
École doctorale Sciences pour l'ingénieur (Lille)
Nom
École doctorale Sciences pour l'ingénieur (Lille)

  
Informations générales
Discipline : Micro et nanotechnologies, acoustique et télécommunications
Classification : Sciences de l'ingénieur

Mots-clés libres : Caractérisation load-Pull, Bande G, Tuner d'impédances, Multiplieur de fréquence, Détecteur de puissance
Mots-clés :
  • Électronique de puissance
  • Ondes millimétriques
  • Transistors bipolaires à hétérojonctions
Résumé : L’évolution des technologies silicium rend aujourd’hui possible le développement de nombreuses applications dans les domaines millimétriques tels que pour les systèmes de communication à très haut débit. Cette évolution se caractérise par une croissance des performances en fréquence des transistors disponibles dans ces technologies et nécessite la mise en place d’outils de mesure performants pour valider la modélisation et l’optimisation technologique de ces dispositifs. La caractérisation load-pull est une méthode incontournable pour modéliser le comportement en fort signal des transistors. En bande G [140-220 GHz], l’environnement de mesure classiquement disponible n’a plus les performances requises pour ce type de caractérisation compte tenu des pertes dans les accès au dispositif sous test. Ce travail de thèse a pour objectif de lever ce verrou en proposant de réaliser, en technologie BiCMOS 55 nm de STMicroelectronics, un banc load-pull entièrement intégré sur silicium afin d’être au plus près du dispositif à caractériser. Le mémoire est articulé autour de quatre chapitres. Le premier chapitre présente l’état de l’art de l’instrumentation actuellement disponible pour la caractérisation en puissance aux fréquences millimétriques et leurs limitations. Le second chapitre détaille la conception et la caractérisation des blocs constituant le banc intégré : le tuner et la source MMW de puissance. Le troisième chapitre décrit la réalisation et les performances du détecteur de puissance. Enfin, le quatrième chapitre présente le banc complet et son application à la caractérisation en bande G d’un dispositif bipolaire disponible dans la technologie BiCMOS 55 nm.
  
Informations techniques
Type de contenu : Text
Format : PDF
  
Informations complémentaires
Entrepôt d'origine : STAR : dépôt national des thèses électroniques françaises
Identifiant : 2017LIL10038
Type de ressource : Thèse
À propos Aide
ORI-OAI-search 2.0.7 - © 2006-2014 ORI-OAI