Version accessible
  • fr
  • en
Recherche rapide
  • Aide
  • Recherche avancée
  • Nouveautés
Naviguer par :
  • Accueil
  • Mémoires
    • Nouveautés
      Recherche de nouveautés dans les ressources documentaires
    • Par master
      Recherche par master
    • Recherche avancée
      Recherche de ressources documentaires
    • Tous les mémoires
  • Thèses
    • Nouveautés
      Recherche de nouveautés dans les thèses
    • Recherche avancée
      Recherche de ressources
    • Par auteur
      Recherche par auteur
    • Par année
      Recherche par année de soutenance
    • Par laboratoire
      Recherche par laboratoire
    • Par thème
      Recherche thématique
    • Par école doctorale
      Recherche par école doctorale
    • Toutes les thèses
  • Publications de recherche
    • Nouveautés
      Recherche de nouveautés dans les ressources documentaires
    • Par laboratoire de recherche
      Recherche par laboratoire
    • Recherche avancée
      Recherche de publication de recherche
    • Toutes les publications de recherche
  • Tous les documents
    • Nouveautés
      Recherche des nouveautés
    • Recherche avancée
      Recherche avancée sur plusieurs formats
    • Toutes les ressources

Fiche descriptive

  • Vous êtes ici :
  • Accueil
  • »
  • Fiche descriptive
???menu.description..???
  • Imprimer
  • Version PDF
  • Version XML
  • Ajouter à ma sélection
  • Partager
  • Courriel
  • Twitter
  • Facebook
  • del.icio.us
  • BlogMarks
  • Viadeo
  • LinkedIn
Compréhension de l'apport des contraintes mécaniques sur les performances électriques des transistors avancés sur SOI (Document en Français)
Accès au(x) document(s)
Accéder au(x) document(s) :
  • https://theses.hal.science/tel-01501255Lien brisé : nonDroits d'accès : non autorisé
  • http://www.theses.fr/2016GREAT074/abesLien brisé : nonDroits d'accès : consultation après authentification
Ce document est protégé en vertu du Code de la Propriété Intellectuelle.

Version :
  • Thèse avec 2 versions : seule la version intégrale est proposée ; sur authentification (communication intranet).
 
Informations sur les contributeurs
Auteur : Idrissi-El Oudrhiri Anouar
Idrissi-El Oudrhiri, Anouar
Nom
Idrissi-El Oudrhiri
Prénom
Anouar
Nationalité
MA

Date de soutenance : 20-07-2016

Directeur(s) de thèse : Mouis Mireille
Mouis, Mireille
Nom
Mouis
Prénom
Mireille


Etablissement de soutenance : Université Grenoble Alpes (ComUE)
Université Grenoble Alpes (ComUE)
Nom
Université Grenoble Alpes (ComUE)

Laboratoire : Laboratoire d'électronique et de technologie de l'information (Grenoble, Isère, France ; 1967-....)
Laboratoire d'électronique et de technologie de l'information (Grenoble, Isère, France ; 1967-....)
Nom
Laboratoire d'électronique et de technologie de l'information (Grenoble, Isère, France ; 1967-....)
- Centre de radiofréquences, optique et micro-nanoélectronique des Alpes (Grenoble, Isère, France ; Chambéry ; 2007-....)
Centre de radiofréquences, optique et micro-nanoélectronique des Alpes (Grenoble, Isère, France ; Chambéry ; 2007-....)
Nom
Centre de radiofréquences, optique et micro-nanoélectronique des Alpes (Grenoble, Isère, France ; Chambéry ; 2007-....)

Ecole doctorale : École doctorale électronique, électrotechnique, automatique, traitement du signal (Grenoble ; 199.-....)
École doctorale électronique, électrotechnique, automatique, traitement du signal (Grenoble ; 199.-....)
Nom
École doctorale électronique, électrotechnique, automatique, traitement du signal (Grenoble ; 199.-....)

  
Informations générales
Discipline : Nanoélectronique et nanotechnologie
Classification : Sciences de l'ingénieur

Mots-clés libres : CMOS avancés, Contraintes mécaniques, Transport, Modélisation, Caractérisation électrique, Simulation
Mots-clés :
  • MOS complémentaires
  • Transistors
  • Microélectronique
  • Équipement électronique miniaturisé
Résumé : L’évolution des performances des dispositifs microélectroniques se heurte aux limites de la miniaturisation. Les contraintes mécaniques constituent un levier potentiel pour dépasser ces limitations. Il est cependant indispensable de bien maitriser leur génération et de connaitre leur influence sur le transport dans le canal. L’objectif de cette thèse vise à étudier l’évolution de la contrainte mécanique en technologie CMOS et son influence sur le transport électronique dans des technologies sub-20nm réalistes. Ce travail s’appuie sur des simulations mécaniques bidimensionnelles. Différentes architectures TriGate et FDSOI sont alors étudiées. Les contraintes obtenues sont comparées à des mesures issues de la diffraction électronique. Plusieurs méthodes de caractérisation électrique et d’extraction de paramètres de transistor MOS sont utilisées. Parmi elles figurent notamment la technique de l’extraction de la mobilité par magnétorésistance. Nous analysons les variations de mobilité en fonction des dimensions et de leur impact sur la contrainte mécanique. Enfin nous utilisons la simulation TCAD pour explorer le potentiel de nouvelles briques technologiques innovantes en voie de développement pour des générations ultérieures. Parmi elles, citons l’intégration des zones fortement contraintes par des source-drains en SiGe à fort pourcentage en germanium ou l’impact des relaxations introduites par l’utilisation des grilles sacrificielles au cours de la fabrication. Dans cette perspective, des simulations électriques basées sur une approche piézo-résistive deviennent indispensables.
  
Informations techniques
Type de contenu : Text
Format : PDF
  
Informations complémentaires
Entrepôt d'origine : STAR : dépôt national des thèses électroniques françaises
Identifiant : 2016GREAT074
Type de ressource : Thèse
À propos Aide
ORI-OAI-search 2.0.7 - © 2006-2014 ORI-OAI