Assas Recherche | Modélisations numériques avancées pour la prédiction des courants dans les dispositifs CMOS ultimes

Modélisations numériques avancées pour la prédiction des courants dans les dispositifs CMOS ultimes (Document en Anglais)

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Modalités de diffusion de la thèse :

Thèse consultable sur internet, en texte intégral.

Informations sur les contributeurs

Auteur : Goncalves Pereira Fabio

Goncalves Pereira, Fabio

Nom

Goncalves Pereira

Prénom

Fabio

Nationalité

Breton

Date de soutenance : 11-07-2016

Directeur(s) de thèse : Pala Marco

Pala, Marco

Nom

Pala

Prénom

Marco

- Rideau Denis

Rideau, Denis

Nom

Rideau

Prénom

Denis

- Triozon François

Triozon, François

Nom

Triozon

Prénom

François

Etablissement de soutenance : Université Grenoble Alpes (ComUE)

Université Grenoble Alpes (ComUE)

Nom

Université Grenoble Alpes (ComUE)

Laboratoire : Centre de radiofréquences, optique et micro-nanoélectronique des Alpes (Grenoble, Isère, France ; Chambéry ; 2007-....)

Centre de radiofréquences, optique et micro-nanoélectronique des Alpes (Grenoble, Isère, France ; Chambéry ; 2007-....)

Nom

Centre de radiofréquences, optique et micro-nanoélectronique des Alpes (Grenoble, Isère, France ; Chambéry ; 2007-....)

Ecole doctorale : École doctorale électronique, électrotechnique, automatique, traitement du signal (Grenoble ; 199.-....)

École doctorale électronique, électrotechnique, automatique, traitement du signal (Grenoble ; 199.-....)

Nom

École doctorale électronique, électrotechnique, automatique, traitement du signal (Grenoble ; 199.-....)

Informations générales

Discipline : Nanoélectronique et nanotechnologie
Classification : Sciences de l'ingénieur

Mots-clés libres : Modélisations, Cmos, Transport, Fdsoi, C++, Fet
Mots-clés :

Transistors MOSFET
MOS (électronique)
Nanoélectronique
Nanotechnologie

Résumé : Parmi les plus important dispositifs pour l'industrie des semi-conducteurs, le transistor “Metal Oxide Semiconductor Field-Effect Transistor” (MOSFET) est largement utilisé pour le développement d'un grand nombre d'applications électroniques. La miniaturisation de ces dispositifs MOSFET a été un processus très efficace pour améliorer la performance de la technologie “Complementary Metal-Oxide Semiconductor” (CMOS). La mise à l'échelle des transistors selon “scaling rules” a permis l'amélioration des performances jusqu'à nœud technologique 90 nm, mais la diminution continue des dimensions MOSFET fait face à des limitations physiques et économiques. Afin de surmonter ces limitations et de parvenir à l'exigence de performance, plusieurs “boosters” ont été explorées par l’industrie des semi-conducteurs, notamment l'utilisation de dispositifs efficaces tel que "Fully Depleted Silicon On Insulator" (FDSOI), dont l'architecture a été choisie pour être explorée dans ce travail.Pour la technologie CMOS ultime, la modélisation fiable du transport électronique est une préoccupation majeure. Ce travail de thèse vise à améliorer la modélisation de dispositifs ultimes FDSOI, concentré sur le transport des porteurs. Dans ce scénario, “Technological Computer-Aided Design” (TCAD) basé sur des modèles Densité-Gradient et de Dérive-Diffusion se présente comme un outil rapide et puissant pour soutenir le développement technologique dans le secteur technologique. Cependant, nous avons montré que leur précision pour prédire les nœuds avancés est souvent douteuse. Afin de surmonter ce problème, nous avons présenté un outil de simulation à deux dimensions (UTOXPP) basé sur des modèles physiques et qui est implementé sur une efficace architecture C++ avec une bonne interface graphique. Au moyen de la méthode Finite-Difference, nous décrivons une stratégie de modélisation complète pour les parties les plus importantes de ce outil, à savoir 1.5D Poisson-Schrödinger, Quantum Drift-Diffusion et les modèles de mobilité de la formulation Kubo-Greenwood et de la fonction de Green hors equilibrium (NEGF). Les résultats de simulation ont montré l'efficacité de UTOXPP pour résoudre les effets quantiques à la fois pour la distribution de charge et également pour le transport des dispositifs choisis. L'objectif de ce travail de thèse a été réalisée puisque UTOXPP se montré capable de fournir des résultats fiables et rapides pour les nœuds avancés, raison d'être un excellent choix pour l'usage quotidien dans la industrie.

Informations techniques

Type de contenu : Text
Format : PDF

Informations complémentaires

Entrepôt d'origine :

STAR : dépôt national des thèses électroniques françaises

Identifiant : 2016GREAT051
Type de ressource : Thèse

Fiche descriptive