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Circuit de pilotage intégré pour transistor de puissance (Document en Français)
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Modalités de diffusion de la thèse :
  • Thèse consultable sur internet, en texte intégral.
 
Informations sur les contributeurs
Auteur : To Duc Ngoc
To, Duc Ngoc
Nom
To
Prénom
Duc Ngoc
Nationalité
VN

Date de soutenance : 02-04-2015

Directeur(s) de thèse : Lembeye Yves
Lembeye, Yves
Nom
Lembeye
Prénom
Yves
- Rouger Nicolas
Rouger, Nicolas
Nom
Rouger
Prénom
Nicolas
- Arnould Jean-Daniel
Arnould, Jean-Daniel
Nom
Arnould
Prénom
Jean-Daniel


Etablissement de soutenance : Université Grenoble Alpes (ComUE)
Université Grenoble Alpes (ComUE)
Nom
Université Grenoble Alpes (ComUE)

Laboratoire : Laboratoire de génie électrique (Grenoble, Isère, France ; 2007-....)
Laboratoire de génie électrique (Grenoble, Isère, France ; 2007-....)
Nom
Laboratoire de génie électrique (Grenoble, Isère, France ; 2007-....)
- Centre de radiofréquences, optique et micro-nanoélectronique des Alpes (Grenoble, Isère, France ; Chambéry ; 2007-....)
Centre de radiofréquences, optique et micro-nanoélectronique des Alpes (Grenoble, Isère, France ; Chambéry ; 2007-....)
Nom
Centre de radiofréquences, optique et micro-nanoélectronique des Alpes (Grenoble, Isère, France ; Chambéry ; 2007-....)

Ecole doctorale : École doctorale électronique, électrotechnique, automatique, traitement du signal (Grenoble ; 199.-....)
École doctorale électronique, électrotechnique, automatique, traitement du signal (Grenoble ; 199.-....)
Nom
École doctorale électronique, électrotechnique, automatique, traitement du signal (Grenoble ; 199.-....)

  
Informations générales
Discipline : Génie électrique
Classification : Sciences de l'ingénieur

Mots-clés libres : Driver intégré, Transformateur sans noyau magnétique, Driver isolé, Intégration CMOS, Intégration SOI, Intégration monolithique
Mots-clés :
  • Transistors de puissance
  • MOS complémentaires
Résumé : Ces travaux de thèse s’inscrivent dans le cadre d’une collaboration entre les laboratoires G2ELAB et IMEP-LAHC en lien avec le projet BQR WiSiTUDe (Grenoble-INP). Le but de cette thèse concerne la conception, modélisation et caractérisation du gate driver intégré pour transistors de puissance à base d’un transformateur sans noyau pour le transfert isolé d'ordres de commutation. La thèse est composée de deux grandes parties : - Une partie de la conception, la modélisation et la caractérisation du transformateur intégré dans deux technologies CMOS 0.35 µm bulk et CMOS 0.18 µm SOI. - Une partie de la conception, la simulation et la mise en œuvre de deux circuits de commande intégrée dans ces deux technologies. Ainsi, l’aspect du système du convertisseur de puissance sera étudié en proposant une nouvelle conception couplée commande/puissance à faible charge. Les résultats de ce travail de thèse ont permis de valider les approches proposées. Deux modèles fiables (électrique 2D et électromagnétique 3D) du transformateur ont été établis et validés via une réalisation CMOS 0.35 µm standard. De plus, un driver CMOS bulk, intégrant l’ensemble du transformateur sans noyau avec plusieurs fonctions de pilotage de la commande rapprochée a été caractérisé et validé. Finalement, un gate driver générique a été conçu en technologie CMOS SOI, intégrant dans une seule puce les étages de commande éloignée, l’isolation galvanique et la commande rapprochée pour transistors de puissance. Ce gate driver présente nombre d’avantages en termes d’interconnexion, de la consommation de la surface de silicium, de la consommation énergétique du driver et de CEM. Les perspectives du travail de thèse sont multiples, à savoir d’une part l’assemblage 3D entre le gate driver et le composant de puissance et d’autre part les convertisseurs de multi-transistors.
  
Informations techniques
Type de contenu : Text
Format : PDF
  
Informations complémentaires
Entrepôt d'origine : STAR : dépôt national des thèses électroniques françaises
Identifiant : 2015GREAT017
Type de ressource : Thèse
À propos Aide
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