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Modélisation et simulation des composants MOSFETs à matériaux de canal alternatifs (Document en Anglais)
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  • http://www.theses.fr/2014GRENT122/abesLien brisé : nonDroits d'accès : non autorisé
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Ce document est protégé en vertu du Code de la Propriété Intellectuelle.

Modalités de diffusion de la thèse :
  • Thèse consultable sur internet, en texte intégral.
 
Informations sur les contributeurs
Auteur : Dutta Tapas
Dutta, Tapas
Nom
Dutta
Prénom
Tapas
Nationalité
IN

Date de soutenance : 16-01-2014

Directeur(s) de thèse : Pananakakis Georges
Pananakakis, Georges
Nom
Pananakakis
Prénom
Georges
- Rafhay Quentin
Rafhay, Quentin
Nom
Rafhay
Prénom
Quentin


Etablissement de soutenance : Grenoble
Grenoble
Nom
Grenoble

Laboratoire : Centre de radiofréquences, optique et micro-nanoélectronique des Alpes (Grenoble, Isère, France ; Chambéry ; 2007-....)
Centre de radiofréquences, optique et micro-nanoélectronique des Alpes (Grenoble, Isère, France ; Chambéry ; 2007-....)
Nom
Centre de radiofréquences, optique et micro-nanoélectronique des Alpes (Grenoble, Isère, France ; Chambéry ; 2007-....)

Ecole doctorale : École doctorale électronique, électrotechnique, automatique, traitement du signal (Grenoble ; 199.-....)
École doctorale électronique, électrotechnique, automatique, traitement du signal (Grenoble ; 199.-....)
Nom
École doctorale électronique, électrotechnique, automatique, traitement du signal (Grenoble ; 199.-....)

  
Informations générales
Discipline : Nanoélectronique et nanotechnologie
Classification : Sciences de l'ingénieur

Mots-clés libres : Semiconducteur III-V, MOSFET, Modélisation et simulation, Effet de canaux court, Effets quantiques
Mots-clés :
  • Nanoélectronique
  • Nanotechnologie
Résumé : Les technologies CMOS à base de silicium approchants les limites fondamentales de la miniaturisation, de nouvelles options sont nécessaires pour continuer la feuille de route de l'industrie de semi-conducteurs. Les matériaux III-V et le germanium sont actuellement très étudiés à ces fins, pour remplacer le silicium en tant que matériau canal des transistors MOSFETs. Bien que les propriétés de transports de charges de ces matériaux soient très fortes dans les substrats massifs, les performances des composants à base de III-V présentent actuellement de fortes dégradations par rapport à ce qui pourrait être attendus.En conséquence, il est nécessaire d'évaluer théoriquement l'impact du changement de matériau de canal sur les performances de ces dispositifs. Dans ce travail, les problèmes de modélisation des effets de canaux cours des composants MOSFET à base de III-V ont d'abord été étudiés. Un nouveau modèle analytique du potentiel électrique dans le canal du MOSFET est proposé et démontré afin de corriger des erreurs dues aux mauvaises conditions limites. Les rôles des effets quantiques de confinement, des paramètres des matériaux ainsi que le rôle de l'architecture des MOSFET III-V sur les effets de canaux courts sont ensuite examinés. L'impact de l'effet tunnel dans la direction source-drain est également analysé dans la dernière partie cette thèse.
  
Informations techniques
Type de contenu : Text
Format : PDF
  
Informations complémentaires
Entrepôt d'origine : STAR : dépôt national des thèses électroniques françaises
Identifiant : 2014GRENT122
Type de ressource : Thèse
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