Version accessible
  • fr
  • en
Recherche rapide
  • Aide
  • Recherche avancée
  • Nouveautés
Naviguer par :
  • Accueil
  • Mémoires
    • Nouveautés
      Recherche de nouveautés dans les ressources documentaires
    • Par master
      Recherche par master
    • Recherche avancée
      Recherche de ressources documentaires
    • Tous les mémoires
  • Thèses
    • Nouveautés
      Recherche de nouveautés dans les thèses
    • Recherche avancée
      Recherche de ressources
    • Par auteur
      Recherche par auteur
    • Par année
      Recherche par année de soutenance
    • Par laboratoire
      Recherche par laboratoire
    • Par thème
      Recherche thématique
    • Par école doctorale
      Recherche par école doctorale
    • Toutes les thèses
  • Publications de recherche
    • Nouveautés
      Recherche de nouveautés dans les ressources documentaires
    • Par laboratoire de recherche
      Recherche par laboratoire
    • Recherche avancée
      Recherche de publication de recherche
    • Toutes les publications de recherche
  • Tous les documents
    • Nouveautés
      Recherche des nouveautés
    • Recherche avancée
      Recherche avancée sur plusieurs formats
    • Toutes les ressources

Fiche descriptive

  • Vous êtes ici :
  • Accueil
  • »
  • Fiche descriptive
???menu.description..???
  • Imprimer
  • Version PDF
  • Version XML
  • Ajouter à ma sélection
  • Partager
  • Courriel
  • Twitter
  • Facebook
  • del.icio.us
  • BlogMarks
  • Viadeo
  • LinkedIn
Conception, fabrication et caractérisation de dispositifs innovants de protection contre les décharges électrostatiques en technologie FDSOI (Document en Français)
Accès au(x) document(s)
Accéder au(x) document(s) :
  • http://www.theses.fr/2014GRENT098/abesLien brisé : nonDroits d'accès : non autorisé
  • https://theses.hal.science/tel-01136239Lien brisé : nonDroits d'accès : consultation après authentification
Ce document est protégé en vertu du Code de la Propriété Intellectuelle.

Modalités de diffusion de la thèse :
  • Thèse consultable sur internet, en texte intégral.
 
Informations sur les contributeurs
Auteur : Solaro Yohann
Solaro, Yohann
Nom
Solaro
Prénom
Yohann
Nationalité
Français

Date de soutenance : 11-12-2014

Directeur(s) de thèse : Ferrari Philippe
Ferrari, Philippe
Nom
Ferrari
Prénom
Philippe
- Cristoloveanu Sorin
Cristoloveanu, Sorin
Nom
Cristoloveanu
Prénom
Sorin
- Fontenau Pascal
Fontenau, Pascal
Nom
Fontenau
Prénom
Pascal
- Fenouillet-Béranger Claire
Fenouillet-Béranger, Claire
Nom
Fenouillet-Béranger
Prénom
Claire


Etablissement de soutenance : Grenoble
Grenoble
Nom
Grenoble

Laboratoire : Centre de radiofréquences, optique et micro-nanoélectronique des Alpes (Grenoble, Isère, France ; Chambéry ; 2007-....)
Centre de radiofréquences, optique et micro-nanoélectronique des Alpes (Grenoble, Isère, France ; Chambéry ; 2007-....)
Nom
Centre de radiofréquences, optique et micro-nanoélectronique des Alpes (Grenoble, Isère, France ; Chambéry ; 2007-....)

Ecole doctorale : École doctorale électronique, électrotechnique, automatique, traitement du signal (Grenoble ; 199.-....)
École doctorale électronique, électrotechnique, automatique, traitement du signal (Grenoble ; 199.-....)
Nom
École doctorale électronique, électrotechnique, automatique, traitement du signal (Grenoble ; 199.-....)

  
Informations générales
Discipline : Nano électronique et nano technologies
Classification : Sciences de l'ingénieur

Mots-clés libres : FDSOI, Protections, ESD, Caractérisations électriques, TLP, CMOS avancé
Mots-clés :
  • MOS complémentaires
Résumé : L’architecture FDSOI (silicium sur isolant totalement déserté) permet une amélioration significative du comportement électrostatique des transistors MOSFETs pour les technologies avancées et est employée industriellement à partir du noeud 28 nm.L’implémentation de protections contre les décharges électrostatiques (ESD pour« Electro Static Discharge ») dans ces technologies reste un défi. Alors que l’approche standard repose sur l’hybridation du substrat SOI (gravure de l’oxyde enterré : BOX)permettant de fabriquer des dispositifs de puissance verticaux, nous nous intéressons ici à des structures dans lesquelles la conduction s’effectue latéralement, dans le film de silicium. Dans ces travaux, des approches alternatives utilisant des dispositifs innovants(Z²-FET et BBC-T) sont proposées. Leurs caractéristiques statiques, quasi-statiques et transitoires sont étudiées, par le biais de simulations TCAD et de caractérisations électriques.
  
Informations techniques
Type de contenu : Text
Format : PDF
  
Informations complémentaires
Entrepôt d'origine : STAR : dépôt national des thèses électroniques françaises
Identifiant : 2014GRENT098
Type de ressource : Thèse
À propos Aide
ORI-OAI-search 2.0.7 - © 2006-2014 ORI-OAI