Assas Recherche | Analyse et modélisation des phénomènes de mismatch des transistors MOSFET avancées

Analyse et modélisation des phénomènes de mismatch des transistors MOSFET avancées (Document en Anglais)

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Modalités de diffusion de la thèse :

Thèse consultable sur internet, en texte intégral.

Informations sur les contributeurs

Auteur : Rahhal Lama

Rahhal, Lama

Nom

Rahhal

Prénom

Lama

Nationalité

Date de soutenance : 06-11-2014

Directeur(s) de thèse : Ghibaudo Gérard

Ghibaudo, Gérard

Nom

Ghibaudo

Prénom

Gérard

- Bajolet Aure?lie

Bajolet, Aure?lie

Nom

Bajolet

Prénom

Aure?lie

Etablissement de soutenance : Grenoble

Grenoble

Nom

Grenoble

Laboratoire : Centre de radiofréquences, optique et micro-nanoélectronique des Alpes (Grenoble, Isère, France ; Chambéry ; 2007-....)

Centre de radiofréquences, optique et micro-nanoélectronique des Alpes (Grenoble, Isère, France ; Chambéry ; 2007-....)

Nom

Centre de radiofréquences, optique et micro-nanoélectronique des Alpes (Grenoble, Isère, France ; Chambéry ; 2007-....)

- STMicroelectronics

STMicroelectronics

Nom

STMicroelectronics

Ecole doctorale : École doctorale électronique, électrotechnique, automatique, traitement du signal (Grenoble ; 199.-....)

École doctorale électronique, électrotechnique, automatique, traitement du signal (Grenoble ; 199.-....)

Nom

École doctorale électronique, électrotechnique, automatique, traitement du signal (Grenoble ; 199.-....)

Informations générales

Discipline : Nanoélectronique et nanotechnologie
Classification : Sciences de l'ingénieur

Mots-clés libres : Désappariement, Transistors MOS, Vt, ?, ID, 28nm Bulk, LDEMOS, Configuration cascode, 20nm Métal-Gate-Last, 28nm FD SOI, 14nm FDSOI, NBTI
Mots-clés :

MOS (électronique)

Résumé : Afin de réaliser correctement leur fonction, certains blocs analogiques ou numériques comme les miroirs de courant ou les SRAM, nécessitent des paires de transistors MOS électriquement identiques. Cependant, les dispositifs sur silicium, même appariés, subissent des variations locales aléatoires ce qui fait varier leurs performances électriques. Ce phénomène est connu sous le nom désappariement. L'objectif de cette thèse est de comprendre les causes physiques de ce désappariement, de le quantifier et de proposer des solutions pour le réduire. Dans ce contexte, quatre thèmes principaux sont développés. Le premier thème se focalise sur l'optimisation des méthodologies de mesures des phénomènes de désappariement. Une nouvelle méthode de mesure du désappariement de Vt et de ? ainsi qu'un nouveau modèle de désappariement de ID sont proposés, analysés et appliqués à des données mesurées sur des technologies 28nm Bulk et FD SOI. Le second thème se concentre sur la caractérisation des différentes configurations de transistor MOS afin de proposer l'architecture optimale en fonction des applications visées. Ainsi, la possibilité de remplacer le LDEMOS par une configuration cascode est analysée en détail. Le troisième thème se focalise sur l'analyse et la modélisation des phénomènes de désappariement des transistors MOS avancés. Trois aspects sont analysés : 1) l'introduction du Ge dans le canal P des technologies 28nm BULK, 2) la suppression de la contribution de la grille sur le désappariement de Vt en utilisant la technologie 20 nm métal-Gate-Last 3) un descriptif des principaux contributeurs au désappariement de Vt, ? et ID dans les technologies 28 et 14nm FD SOI. Le dernier thème traite du comportement du désappariement des transistors MOS après vieillissement. Un vieillissement NBTI a été appliqué sur des PMOS de la technologie 28nm FD SOI. Des modèles de comportement de Vt et de ? en fonction du nombre de charges fixes ou d'états d'interfaces induits à l'interface Si/SiO2 ou dans l'oxyde sont proposés et analysés.

Informations techniques

Type de contenu : Text
Format : PDF

Informations complémentaires

Entrepôt d'origine :

STAR : dépôt national des thèses électroniques françaises

Identifiant : 2014GRENT061
Type de ressource : Thèse

Fiche descriptive