Assas Recherche | Étude de HEMTs AlGaN/GaN à grand développement pour la puissance hyperfréquence : conception et fabrication, caractérisation et fiabilité

Étude de HEMTs AlGaN/GaN à grand développement pour la puissance hyperfréquence : conception et fabrication, caractérisation et fiabilité (Document en Français)

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Version :

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Informations sur les contributeurs

Auteur : Douvry (Douvry), Yannick

Douvry (Douvry), Yannick

Nom

Douvry

Nom de naissance

Douvry

Prénom

Yannick

Nationalité

Français

Date de soutenance : 15-11-2012

Directeur(s) de thèse : De Jaeger Jean-Claude

De Jaeger, Jean-Claude

Nom

De Jaeger

Prénom

Jean-Claude

- Hoel Virginie

Hoel, Virginie

Nom

Hoel

Prénom

Virginie

Etablissement de soutenance : Lille 1

Lille 1

Nom

Lille 1

Laboratoire : Institut d'Electronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie

Institut d'Electronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie

Nom

Institut d'Electronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie

Ecole doctorale : École doctorale Sciences pour l'Ingénieur (Lille)

École doctorale Sciences pour l'ingénieur (Lille)

Nom

École doctorale Sciences pour l'ingénieur (Lille)

Informations générales

Discipline : Micro et nanotechnologies, acoustique et télécommunications
Classification : Sciences de l'ingénieur

Mots-clés libres : Hemt
Mots-clés :

Transistors à effet de champ à dopage modulé - Construction - Fiabilité
Nitrure de gallium
Nitrure d'aluminium
Semiconducteurs à large bande interdite
Mesures microondes
Amplificateurs microondes
Transistors de puissance

Résumé : Cette thèse expose les travaux effectués au sein du laboratoire central de l’IEMN. La finalité de ce travail est de participer a l’optimisation des transistors HEMTs de la filière AlGaN/GaN sur substrat Si(111), au niveau de leur fabrication et de leurs propriétés électroniques, qui seront a terme intégrés dans des dispositifs de puissance hyperfréquence. Ce manuscrit expose dans un premier chapitre les principales propriétés physiques, électriques et mécaniques des matériaux choisis, ainsi que le principe de fonctionnement du HEMT. Ensuite, toutes les étapes technologiques permettant la conception et la fabrication du HEMT seront décrites dans le deuxième chapitre, parmi lesquelles ont été menées plusieurs études sur leur optimisation. Une attention particulière sera portée sur les verrous technologiques rencontrés durant cette thèse. Le troisième chapitre présente l’ensemble des études effectuées sur les composants fabriqués au laboratoire. Elles s’appuient sur l’analyse des caractéristiques électriques en régime statique, pulsé, et hyperfréquence. Le dernier chapitre concerne l’étude de la fiabilité de HEMT AlGaN/GaN sur substrat SiC de même topologie. Les défauts induits par l’utilisation prolongée de ces transistors seront mis en exergue.

Informations techniques

Type de contenu : Text
Format : PDF

Informations complémentaires

Entrepôt d'origine :

STAR : dépôt national des thèses électroniques françaises

Identifiant : 2012LIL10131
Type de ressource : Thèse

Fiche descriptive