Fiche descriptive
Impact du claquage progressif de l'oxyde sur le fonctionnement des composants et circuits élémentaires MOS : caractérisation et modélisation (Document en Français)
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Modalités de diffusion de la thèse :
Modalités de diffusion de la thèse :
- Thèse consultable sur internet, en texte intégral.
Auteur : Gerrer (Gerrer), Louis
Date de soutenance : 12-07-2011
Directeur(s) de thèse : Ghibaudo Gérard
- Jomaah Jalal
Etablissement de soutenance : Grenoble
Laboratoire : Centre de radiofréquences, optique et micro-nanoélectronique des Alpes (Grenoble, Isère, France ; Chambéry ; 2007-....)
Ecole doctorale : École doctorale électronique, électrotechnique, automatique, traitement du signal (Grenoble ; 199.-....)
Gerrer (Gerrer), Louis
Nom
Gerrer
Nom de naissance
Gerrer
Prénom
Louis
Nationalité
Français
Date de soutenance : 12-07-2011
Directeur(s) de thèse : Ghibaudo Gérard
Ghibaudo, Gérard
Nom
Ghibaudo
Prénom
Gérard
Jomaah, Jalal
Nom
Jomaah
Prénom
Jalal
Etablissement de soutenance : Grenoble
Grenoble
Nom
Grenoble
Laboratoire : Centre de radiofréquences, optique et micro-nanoélectronique des Alpes (Grenoble, Isère, France ; Chambéry ; 2007-....)
Centre de radiofréquences, optique et micro-nanoélectronique des Alpes (Grenoble, Isère, France ; Chambéry ; 2007-....)
Nom
Centre de radiofréquences, optique et micro-nanoélectronique des Alpes (Grenoble, Isère, France ; Chambéry ; 2007-....)
Ecole doctorale : École doctorale électronique, électrotechnique, automatique, traitement du signal (Grenoble ; 199.-....)
École doctorale électronique, électrotechnique, automatique, traitement du signal (Grenoble ; 199.-....)
Nom
École doctorale électronique, électrotechnique, automatique, traitement du signal (Grenoble ; 199.-....)
Discipline : Micro et nanoélectronique
Classification : Sciences de l'ingénieur
Mots-clés libres : Transistor à effet de champ MOSFET, Fiabilité de l'oxyde, Quasi-claquage SBD, Variabilité des paramètres, Modélisation compact, Simulation composants et circuits
Résumé : La progressivité du claquage des oxydes de grille d'épaisseurs inférieures à 20 nm permet d'envisager une prolongation de la durée de vie des circuits. Cet enjeu majeur de la fiabilité contemporaine requiert des modèles adaptés afin de contrôler la variabilité des paramètres induites par le claquage. Après avoir étudié l'impact d'une fuite de courant sur une couche chargée, nous avons mis au point un modèle bas niveau de simulation par éléments finis, capable de reproduire la dérive des paramètres mesurée sur des dispositifs du nœud 45 nm. Des lois empiriques de ces dérives ont été injectées dans un modèle compact du transistor dégradé, simplifié par nos observations originales de la dépolarisation du canal et de la répartition des courants. Finalement nous avons simulé l'impact du claquage sur le fonctionnement de circuits simples et estimés la dérive de leurs paramètres tels que l'augmentation de la consommation due au claquage.
Classification : Sciences de l'ingénieur
Mots-clés libres : Transistor à effet de champ MOSFET, Fiabilité de l'oxyde, Quasi-claquage SBD, Variabilité des paramètres, Modélisation compact, Simulation composants et circuits
Résumé : La progressivité du claquage des oxydes de grille d'épaisseurs inférieures à 20 nm permet d'envisager une prolongation de la durée de vie des circuits. Cet enjeu majeur de la fiabilité contemporaine requiert des modèles adaptés afin de contrôler la variabilité des paramètres induites par le claquage. Après avoir étudié l'impact d'une fuite de courant sur une couche chargée, nous avons mis au point un modèle bas niveau de simulation par éléments finis, capable de reproduire la dérive des paramètres mesurée sur des dispositifs du nœud 45 nm. Des lois empiriques de ces dérives ont été injectées dans un modèle compact du transistor dégradé, simplifié par nos observations originales de la dépolarisation du canal et de la répartition des courants. Finalement nous avons simulé l'impact du claquage sur le fonctionnement de circuits simples et estimés la dérive de leurs paramètres tels que l'augmentation de la consommation due au claquage.
Type de contenu : Text
Format : PDF
Format : PDF
Entrepôt d'origine : 
Identifiant : 2011GRENT045
Type de ressource : Thèse
Identifiant : 2011GRENT045
Type de ressource : Thèse