Assas Recherche | Caractérisation et modélisation du bruit basse fréquence et télégraphique sur des technologies imageurs CMOS avancées

Caractérisation et modélisation du bruit basse fréquence et télégraphique sur des technologies imageurs CMOS avancées (Document en Anglais)

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Modalités de diffusion de la thèse :

Thèse consultable sur internet, en texte intégral.

Informations sur les contributeurs

Auteur : Gauthier Owen

Gauthier, Owen

Nom

Gauthier

Prénom

Owen

Nationalité

Français

Date de soutenance : 03-12-2024

Directeur(s) de thèse : Rafhay Quentin

Rafhay, Quentin

Nom

Rafhay

Prénom

Quentin

- Haendler Sébastien

Haendler, Sébastien

Nom

Haendler

Prénom

Sébastien

- Theodorou Christoforos

Theodorou, Christoforos

Nom

Theodorou

Prénom

Christoforos

Etablissement de soutenance : Université Grenoble Alpes

Université Grenoble Alpes

Nom

Université Grenoble Alpes

Laboratoire : Centre de radiofréquences, optique et micro-nanoélectronique des Alpes (Grenoble, Isère, France ; Chambéry ; 2007-....)

Centre de radiofréquences, optique et micro-nanoélectronique des Alpes (Grenoble, Isère, France ; Chambéry ; 2007-....)

Nom

Centre de radiofréquences, optique et micro-nanoélectronique des Alpes (Grenoble, Isère, France ; Chambéry ; 2007-....)

Ecole doctorale : École doctorale électronique, électrotechnique, automatique, traitement du signal

École doctorale électronique, électrotechnique, automatique, traitement du signal

Nom

École doctorale électronique, électrotechnique, automatique, traitement du signal

Informations générales

Discipline : Nanoélectronique et nanotechnologie
Classification : Sciences de l'ingénieur

Mots-clés libres : Mosfet, Bruit basse fréquence, Rtn, 1/f, Technologie imageur, Caractérisation électrique
Mots-clés :

MOS complémentaires
Transistors MOSFET
Bruit électronique
Ondes kilométriques

Résumé : Suite à la réduction de la taille des transistors CMOS, le bruit basse fréquence dû aux piégeages/dépiégeages des charges dans le diélectrique de grille prend de plus en plus d’importance. Il est en effet inversement proportionnel à la surface d’oxyde de grille. Cela conduit aussi à une forte augmentation de la variabilité dynamique, perturbe de plus en plus le fonctionnement des circuits électriques et réduit la marge de design des circuits. C’est particulièrement le cas pour les circuits de lecture des applications « imagers » ; notamment pour de faible illumination où le bruit limite la sensibilité du capteur. Pour des transistors de petites dimensions, cette variabilité du bruit se traduit aussi par un bruit spécifique dit « Random Telegraph Noise » (RTN) qui a des propriétés temporelles et fréquentielles spécifiques. L’objet ce cette thèse sera la caractérisation et la modélisation de ce bruit dans les technologies imagers. Ainsi, la thèse sera consacrée dans un premier temps à l’étude expérimentale du bruit RTN en fonction des paramètres géométriques, de la polarisation (Vgs, Vds) et de la température. Cela permettra de couvrir l’ensemble du domaine d’utilisation du transistor MOS. La recherche et l’extraction des paramètres du bruit RTN n’est pas une tâche aisée, surtout lorsqu’il y a plusieurs évènements RTN qui se superposent. Pour cela, différentes méthodes d’extraction (à base d’histogramme, de Time-Lag-Plot ou des chaines de Markov) seront évaluées pour identifier une méthode d’extraction fiable et automatisable. Des nouvelles méthodes d’extraction pourraient également être développées, si nécessaire. Enfin, une modélisation de ce bruit sera proposée en vue d’une possible implémentation dans un simulateur.

Informations techniques

Type de contenu : Text
Format : PDF

Informations complémentaires

Entrepôt d'origine :

STAR : dépôt national des thèses électroniques françaises

Identifiant : 2024GRALT095
Type de ressource : Thèse