Assas Recherche | Etude des dispositifs à dopage électrostatique et des applications dans les technologies FD-SOI

Etude des dispositifs à dopage électrostatique et des applications dans les technologies FD-SOI (Document en Anglais)

Accès au(x) document(s)

Accéder au(x) document(s) :

Ce document est protégé en vertu du Code de la Propriété Intellectuelle.

Modalités de diffusion de la thèse :

Thèse consultable sur internet, en texte intégral.

Informations sur les contributeurs

Auteur : Lee Kyunghwa

Lee, Kyunghwa

Nom

Lee

Prénom

Kyunghwa

Nationalité

Français

Date de soutenance : 10-07-2019

Directeur(s) de thèse : Bawedin Maryline

Bawedin, Maryline

Nom

Bawedin

Prénom

Maryline

- Cristoloveanu Sorin

Cristoloveanu, Sorin

Nom

Cristoloveanu

Prénom

Sorin

Etablissement de soutenance : Université Grenoble Alpes (ComUE)

Université Grenoble Alpes (ComUE)

Nom

Université Grenoble Alpes (ComUE)

Laboratoire : Centre de radiofréquences, optique et micro-nanoélectronique des Alpes (Grenoble, Isère, France ; Chambéry ; 2007-....)

Centre de radiofréquences, optique et micro-nanoélectronique des Alpes (Grenoble, Isère, France ; Chambéry ; 2007-....)

Nom

Centre de radiofréquences, optique et micro-nanoélectronique des Alpes (Grenoble, Isère, France ; Chambéry ; 2007-....)

Ecole doctorale : École doctorale électronique, électrotechnique, automatique, traitement du signal (Grenoble ; 199.-....)

École doctorale électronique, électrotechnique, automatique, traitement du signal (Grenoble ; 199.-....)

Nom

École doctorale électronique, électrotechnique, automatique, traitement du signal (Grenoble ; 199.-....)

Informations générales

Discipline : Nanoe?lectronique et nanotechnologie
Classification : Sciences de l'ingénieur

Mots-clés libres : Film ultra-Fin, Z2-Fet, Dispositifs à modulation de bandes, Diode virtuelle, Dopage électrostatique
Mots-clés :

Silicium sur isolant complétement déplété
MOS (électronique)
Induction électrostatique
Diodes à semiconducteur

Résumé : La récente technologie Fully Depleted SOI (FD-SOI) est une excellente alternative à la technologie conventionnelle CMOS (Complementary Metal Oxide Semiconductorqui a mené le développement incessont des circuits intégrés. FD-SOI offre une faible consommation d'énergie et un contrôle électrostatique amélioré pour les transistors MOS, même dans les nœuds très avancés (14 et 28 nm). En raison de leurs dimensions nanométriques, aussi bien en épaisseur qu’en longueur, les transistors FD-SOI présentent des mécanismes de fonctionnement et des caractéristiques très spécifiques. L’état de l’art du FD-SOI est décrit en insistant sur les atouts des composants, les effets physiques particuliers et les techniques de caractérisations dédiées. La diode Hocus-Pocus (HP) est un exemple de dispositif innovant rendu possible par la flexibilité sans égal de la technologie FD-SOI. En modifiant le type de dopage électrostatique, N ou P, un dispositif peut être reconfiguré en diode P-N virtuelle, diode Esaki virtuelle, diode semi-virtuelle, diode P-I-N, TFET ou FET à modulation de bande. Chaque configuration fonctionne comme un dispositif physiquement dopé. Les aspects inédits découlent d'un changement dynamique de la concentration des porteurs. Des applications originales telles que l'extraction de la durée de vie des porteurs et la diode virtuelle Esaki sont explorées. Le Z2-FET (Zero subthreshold slope and Zero impact ionization) est un dispositif particulièrement prometteur en raison de ses caractéristiques attrayantes (commutation abrupte, faible courant de fuite, tension de déclenchement réglable et rapport de courant élevé ION/IOFF). Dans ce travail, nous nous concentrons sur une mémoire dynamique sans capacité (1T-DRAM) et un interrupteur logique rapide. Les mécanismes de fonctionnement en courant continu et transitoire ainsi que les performances du dispositif sont étudiés en détail à l'aide de simulations TCAD et validés à l'aide de résultats expérimentaux systématiques.

Informations techniques

Type de contenu : Text
Format : PDF

Informations complémentaires

Entrepôt d'origine :

STAR : dépôt national des thèses électroniques françaises

Identifiant : 2019GREAT041
Type de ressource : Thèse