Ouvrir cette fenêtre en pleine page
  • Imprimer
  • Version PDF
  • Version XML
  • Ajouter à ma sélection
  • Partager
  • Courriel
  • Twitter
  • Facebook
  • del.icio.us
  • BlogMarks
  • Viadeo
  • LinkedIn
Caractérisations de composants et Conceptions de circuits à base d’une filière émergente AlN/GaN pour applications de puissance en gamme d’ondes millimétriques (Document en Français)
Accès au(x) document(s)
Accéder au(x) document(s) :
  • https://pepite-depot.univ-lille.fr/LIBRE/EDSPI/2017/50376-2017-Kabouche.pdfLien brisé : nonDroits d'accès : non autorisé
Ce document est protégé en vertu du Code de la Propriété Intellectuelle.

Version :
  • Thèse avec 2 versions : seule la version intégrale est proposée ; sur authentification (communication intranet).
 
Informations sur les contributeurs
Auteur : Kabouche (Kabouche), Riad
Kabouche (Kabouche), Riad
Nom
Kabouche
Nom de naissance
Kabouche
Prénom
Riad
Nationalité
Français

Date de soutenance : 20-12-2017

Directeur(s) de thèse : Loyez Christophe
Loyez, Christophe
Nom
Loyez
Prénom
Christophe
- Medjdoub Farid
Medjdoub, Farid
Nom
Medjdoub
Prénom
Farid


Etablissement de soutenance : Lille 1
Lille 1
Nom
Lille 1

Laboratoire : Institut d'Electronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie
Institut d'Electronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie
Nom
Institut d'Electronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie

Ecole doctorale : École doctorale Sciences pour l'Ingénieur (Lille)
École doctorale Sciences pour l'ingénieur (Lille)
Nom
École doctorale Sciences pour l'ingénieur (Lille)

  
Informations générales
Discipline : Electronique, microélectronique, nanoélectronique et micro-ondes
Classification : Sciences de l'ingénieur

Mots-clés libres : Mesures LoadPull, Analyseur de Réseau Vectoriel Non-Linéaire
Mots-clés :
  • Nitrure de gallium
  • Circuits électroniques - Construction
  • Mesures microondes
  • Amplificateurs de puissance
  • Ondes millimétriques
Résumé : La technologie Nitrure de Gallium s’impose actuellement comme le candidat idéal pour les applications de forte Puissance en gamme d’ondes millimétriques. Les caractéristiques de ce matériau le prédisposent à un fonctionnement à haute tension sans sacrifier la montée en fréquence, illustrées par son champ de claquage et sa vitesse de saturation des électrons élevés. Ces travaux de recherche s’inscrivent, dans un premier temps, dans le développement d’un banc de mesures permettant la caractérisation « grand signal », dite LoadPull dans la bande Ka et Q, en mode continu et impulsionnel de cette technologie émergente. En effet, la forte densité de puissance qu’est capable de générer la technologie GaN a rendu le développement de ce banc indispensable et relativement unique. Par ailleurs, cette étude s’est focalisée, dans la caractérisation de plusieurs filières innovantes qui ont mis en évidence des performances à l’état de l’art, avec un rendement en puissance ajoutée PAE de 46.3% associée à une densité de puissance de 4.5W/mm obtenue pour une fréquence d’opération de 40 GHz en mode continu. Enfin, ces travaux de thèse ont permis de générer la conception et la réalisation de deux amplificateurs de puissance en technologie GaN sur substrat silicium (basée sur la filière industrielle OMMIC) en bande Ka, représentant la finalité d’une démarche cohérente de l’étude de transistors en technologie GaN à la réalisation de circuits de type MMIC. Ces deux amplificateurs ont été conçus pour des objectifs biens précis : combiner puissance élevée et rendement PAE élevé et repousser les limites en termes de largeur de bande.
  
Informations techniques
Type de contenu : Text
Format : PDF
  
Informations complémentaires
Entrepôt d'origine : STAR : dépôt national des thèses électroniques françaises
Identifiant : 2017LIL10200
Type de ressource : Thèse