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Caractérisation électrique des dispositifs FDSOI établie par mesures C-V (Document en Français)
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Version :
  • Thèse avec 2 versions : seule la version intégrale est proposée ; sur authentification (communication intranet).
 
Informations sur les contributeurs
Auteur : Mohamad Blend
Mohamad, Blend
Nom
Mohamad
Prénom
Blend
Nationalité
Italien

Date de soutenance : 30-05-2017

Directeur(s) de thèse : Ghibaudo Gérard
Ghibaudo, Gérard
Nom
Ghibaudo
Prénom
Gérard
- Leroux Charles
Leroux, Charles
Nom
Leroux
Prénom
Charles


Etablissement de soutenance : Université Grenoble Alpes (ComUE)
Université Grenoble Alpes (ComUE)
Nom
Université Grenoble Alpes (ComUE)

Laboratoire : Observatoire des micro et nanotechnologies (Grenoble, Isère, France ; 2005-2018?)
Observatoire des micro et nanotechnologies (Grenoble, Isère, France ; 2005-2018?)
Nom
Observatoire des micro et nanotechnologies (Grenoble, Isère, France ; 2005-2018?)
- Centre de radiofréquences, optique et micro-nanoélectronique des Alpes (Grenoble, Isère, France ; Chambéry ; 2007-....)
Centre de radiofréquences, optique et micro-nanoélectronique des Alpes (Grenoble, Isère, France ; Chambéry ; 2007-....)
Nom
Centre de radiofréquences, optique et micro-nanoélectronique des Alpes (Grenoble, Isère, France ; Chambéry ; 2007-....)

Ecole doctorale : École doctorale électronique, électrotechnique, automatique, traitement du signal (Grenoble ; 199.-....)
École doctorale électronique, électrotechnique, automatique, traitement du signal (Grenoble ; 199.-....)
Nom
École doctorale électronique, électrotechnique, automatique, traitement du signal (Grenoble ; 199.-....)

  
Informations générales
Discipline : Nanoélectronique et nanotechnologie
Classification : Sciences de l'ingénieur

Mots-clés libres : Fdsoi, C-V, Si, SiGe
Mots-clés :
  • MOS complémentaires
  • Transistors MOSFET
  • Microélectronique
Résumé : Les technologies de films minces sur isolant apparaissent comme des solutions fiables pour la nano électronique. Elles permettent de dépasser les limites des technologies sur substrat silicium massif, en autorisant de faibles tensions d’utilisation et un gain en énergie significatif. En effet, les transistors à semi-conducteurs à grille métallique (MOSFET) avec un substrat totalement déplété (FDSOI) conduisent à des courants de fuites faible et améliorent la variabilité ce qui permet de diminuer les tensions d’alimentation en particulier pour les applications SRAM. A partir du nœud 14 nm, les transistors peuvent intégrer un canal SiGe, le diélectrique high-k et la grille métallique. Tous ces nouveaux modules de procédés technologiques rendent l’analyse électrique des transistors MOS ainsi que sa corrélation avec la technologie plus compliquées. Ce travail de thèse propose plusieurs nouvelles méthodologies d’extraction automatique et statistique de paramètres pour les empilements MOS FDSOI avancées. Ces méthodologies sont toutes basées sur des mesures de capacité par rapport à la tension (C-V) rendant compte du couplage capacitif entre grille métallique, canal et substrat face arrière. Avec de telles caractéristiques C-V, des méthodologies fiables sont proposées pour l’épaisseur d’oxyde de grille équivalente (EOT), le travail effectif de la grille métallique FDSOI (WFeff), ainsi que d’autres paramètres comme les épaisseurs du canal (tch) et de l’oxyde enterré (tbox) ainsi que l’affinité électronique efficace (Xeff) du substrat face arrière qui inclut les différents effets électrostatique à l’œuvre dans l’oxyde enterré et à ses interfaces. Ces différentes méthodologies ont été validées par des simulations quantiques. La force de l’analyse expérimentale a été de contrôler la cohérence des extractions obtenues sur tout un ensemble de transistors MOS obtenus à partir de variation sur les différentes briques de base et de contrôler la cohérence des paramètres extraits.
  
Informations techniques
Type de contenu : Text
Format : PDF
  
Informations complémentaires
Entrepôt d'origine : STAR : dépôt national des thèses électroniques françaises
Identifiant : 2017GREAT001
Type de ressource : Thèse