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Filière technologique hybride InGaAs/SiGe pour applications CMOS (Document en Anglais)
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Modalités de diffusion de la thèse :
  • Thèse consultable sur internet, en texte intégral.
 
Informations sur les contributeurs
Auteur : Czornomaz Lukas
Czornomaz, Lukas
Nom
Czornomaz
Prénom
Lukas
Nationalité
Français

Date de soutenance : 22-01-2016

Directeur(s) de thèse : Cristoloveanu Sorin
Cristoloveanu, Sorin
Nom
Cristoloveanu
Prénom
Sorin
- Fompeyrine Jean
Fompeyrine, Jean
Nom
Fompeyrine
Prénom
Jean


Etablissement de soutenance : Université Grenoble Alpes (ComUE)
Université Grenoble Alpes (ComUE)
Nom
Université Grenoble Alpes (ComUE)

Laboratoire : IBM Research -- Zurich
IBM Research -- Zurich
Nom
IBM Research -- Zurich
- Centre de radiofréquences, optique et micro-nanoélectronique des Alpes (Grenoble, Isère, France ; Chambéry ; 2007-....)
Centre de radiofréquences, optique et micro-nanoélectronique des Alpes (Grenoble, Isère, France ; Chambéry ; 2007-....)
Nom
Centre de radiofréquences, optique et micro-nanoélectronique des Alpes (Grenoble, Isère, France ; Chambéry ; 2007-....)

Ecole doctorale : École doctorale électronique, électrotechnique, automatique, traitement du signal (Grenoble ; 199.-....)
École doctorale électronique, électrotechnique, automatique, traitement du signal (Grenoble ; 199.-....)
Nom
École doctorale électronique, électrotechnique, automatique, traitement du signal (Grenoble ; 199.-....)

  
Informations générales
Discipline : Nanoélectronique et nanotechnologie
Classification : Sciences de l'ingénieur

Mots-clés libres : CMOS, InGaAs, SiGe, Mosfet, Collage, Celo
Mots-clés :
  • MOS complémentaires
  • Transistors MOSFET
Résumé : Les materiaux à forte mobilité comme l’InGaAs et le SiGe sont considérés comme des candidats potentiels pour remplacer le Si dans les circuits CMOS futurs. De nombreux défis doivent être surmontés pour transformer ce concept en réalité industrielle. Cette thèse couvre les principaux challenges que sont l’intégration de l’InGaAs sur Si, la formation d’oxydes de grille de qualité, la réalisation de régions source/drain auto-alignées de faible résistance, l’architecture des transistors ou encore la co-intégration de ces matériaux dans un procédé de fabrication CMOS.Les solutions envisagées sont proposées en gardant comme ligne directrice l’applicabilité des méthodes pour une production de grande envergure.Le chapitre 2 aborde l’intégration d’InGaAs sur Si par deux méthodes différentes. Le chapitre3 détaille le développement de modules spécifiques à la fabrication de transistors auto-alignés sur InGaAs. Le chapitre 4 couvre la réalisation de différents types de transistors auto-alignés sur InGaAs dans le but d’améliorer leurs performances. Enfin, le chapitre 5 présente trois méthodes différentes pour réaliser des circuits hybrides CMOS à base d’InGaAs et de SiGe.
  
Informations techniques
Type de contenu : Text
Format : PDF
  
Informations complémentaires
Entrepôt d'origine : STAR : dépôt national des thèses électroniques françaises
Identifiant : 2016GREAT013
Type de ressource : Thèse