Assas Recherche | Modélisation compacte de transistors MOSFETs à canal III-V et films minces pour applications CMOS avancées

Modélisation compacte de transistors MOSFETs à canal III-V et films minces pour applications CMOS avancées (Document en Anglais)

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Modalités de diffusion de la thèse :

Thèse soumise à l'embargo de l'auteur : embargo illimité (communication intranet).

Informations sur les contributeurs

Auteur : Hiblot Gaspard

Hiblot, Gaspard

Nom

Hiblot

Prénom

Gaspard

Nationalité

Français

Date de soutenance : 23-10-2015

Directeur(s) de thèse : Ghibaudo Gérard

Ghibaudo, Gérard

Nom

Ghibaudo

Prénom

Gérard

- Bœuf Fre?de?ric

Bœuf, Fre?de?ric

Nom

Bœuf

Prénom

Fre?de?ric

- Rafhay Quentin

Rafhay, Quentin

Nom

Rafhay

Prénom

Quentin

Etablissement de soutenance : Université Grenoble Alpes (ComUE)

Université Grenoble Alpes (ComUE)

Nom

Université Grenoble Alpes (ComUE)

Laboratoire : Centre de radiofréquences, optique et micro-nanoélectronique des Alpes (Grenoble, Isère, France ; Chambéry ; 2007-....)

Centre de radiofréquences, optique et micro-nanoélectronique des Alpes (Grenoble, Isère, France ; Chambéry ; 2007-....)

Nom

Centre de radiofréquences, optique et micro-nanoélectronique des Alpes (Grenoble, Isère, France ; Chambéry ; 2007-....)

Ecole doctorale : École doctorale électronique, électrotechnique, automatique, traitement du signal (Grenoble ; 199.-....)

École doctorale électronique, électrotechnique, automatique, traitement du signal (Grenoble ; 199.-....)

Nom

École doctorale électronique, électrotechnique, automatique, traitement du signal (Grenoble ; 199.-....)

Informations générales

Discipline : Nanoélectronique et nanotechnologie
Classification : Sciences de l'ingénieur

Mots-clés libres : Cmos, Mosfet, Modélisation, Iii-V, Films minces
Mots-clés :

MOS complémentaires
Transistors MOSFET

Résumé : Les MOSFET III-V sont considérés comme des candidats potentiels pour les futures générations d'applications à base de logique CMOS, grâce à leurs remarquables propriétés de transport.D'un autre côté, ils souffrent de désavantages physiques (tels que les courants tunnels ou leur faible densité d'états), et de difficultés technologiques (en particulier les états d'interface), qui peuvent détériorer leur performance.Dans cette thèse, un modèle physique et compact du MOSFET III-V est établi. Il inclut une description des effets canaux courts, de la charge d'inversion (considérant aussi les effets de structure de bandes dans les canaux fins), les caractéristiques de transport, les courants tunnels, et les composants externes tels que les résistances d'accès et les capacités parasites.En utilisant ce modèle, la performance des MOSFET III-V est évaluée par rapport à celle du Si, et une feuille de route incluant ces dispositifs est présentée.Il est démontré que les canaux à matériaux III-V pourraient présenter une meilleure performance que le Si, pourvu que le problème des pièges d'interface soit résolu. Si tel est le cas, ils pourraient être introduits au noeud "7nm".La densité de pièges, à partir de laquelle la performance des MOSFET III-V devient pire que celle du Si, dépend de l'architecture considérée.Enfin, les canaux très fins nécessaires pour atteindre une bonne performance avec les matériaux III-V risquent de poser des problèmes de variabilité, qui pourraient avec des répercussions négatives au niveau de la conception du circuit.

Informations techniques

Type de contenu : Text
Format : PDF

Informations complémentaires

Entrepôt d'origine :

STAR : dépôt national des thèses électroniques françaises

Identifiant : 2015GREAT066
Type de ressource : Thèse