Assas Recherche | Modélisation, simulation et caractérisation de dispositifs TFET pour l'électronique à basse puissance

Modélisation, simulation et caractérisation de dispositifs TFET pour l'électronique à basse puissance (Document en Anglais)

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Modalités de diffusion de la thèse :

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Informations sur les contributeurs

Auteur : Revelant Alberto

Revelant, Alberto

Nom

Revelant

Prénom

Alberto

Nationalité

Italien

Date de soutenance : 15-05-2014

Directeur(s) de thèse : Cristoloveanu Sorin

Cristoloveanu, Sorin

Nom

Cristoloveanu

Prénom

Sorin

- Selmi Luca

Selmi, Luca

Nom

Selmi

Prénom

Luca

Etablissement de soutenance : Grenoble

Grenoble

Nom

Grenoble

- Università degli studi (Udine, Italie)

Università degli studi (Udine, Italie)

Nom

Università degli studi (Udine, Italie)

Laboratoire : Universita degli studi (Udine, Italie). Dipartimento di Ingegneria Elettrica, Gestionale e Meccanica

Universita degli studi (Udine, Italie). Dipartimento di Ingegneria Elettrica, Gestionale e Meccanica

Nom

Universita degli studi (Udine, Italie). Dipartimento di Ingegneria Elettrica, Gestionale e Meccanica

Ecole doctorale : École doctorale électronique, électrotechnique, automatique, traitement du signal (Grenoble ; 199.-....)

École doctorale électronique, électrotechnique, automatique, traitement du signal (Grenoble ; 199.-....)

Nom

École doctorale électronique, électrotechnique, automatique, traitement du signal (Grenoble ; 199.-....)

Informations générales

Discipline : Nanoélectronique et nanotechnologie
Classification : Sciences de l'ingénieur

Mots-clés libres : Tunnel FET, Modèle Monte Carlo, Quantification en raison de la taille, Quantum effects, Puissance ultra basse, Caractérisation
Mots-clés :

Monte-Carlo, Méthode de
Transistors à effet de champ

Résumé : Dans les dernières années, beaucoup de travail a été consacré par l’industrie électronique pour réduire la consommation d’énergie des composants micro-électroniques qui représente un fardeau important dans la spécification des nouveaux systèmes.Afin de réduire la consommation d’énergie, nombreuses stratégies peuvent être adoptées au niveau des systèmes micro-électroniques et des simples dispositifs nano-électroniques. Récemmentle Transistor Tunnel `a effet de champ (Tunnel-FET) s’est imposé comme un candidat possible pour remplacer les dispositifs MOSFET conventionnels pour applications de tr`es basse puissance à des tensions d’alimentation VDD < 0.5V. Nous présentons un modèle Multi-Subband Monte Carlo modifié (MSMC) qui a été adapté pour la simulation de TFET Ultra Thin Body Fully Depleted Seminconductor on Insulator (FDSOIUTB) avec homo- et hétéro-jonctions et des matériaux semi-conducteurs arbitraires. Nous prenons en considération la quantification de la charge avec une correction quantique heuristique mais précise, validée via des modèles quantiques complets et des résultats expérimentaux.Le modèle MSMC a été utilisé pour simuler et évaluer la performance de FD-SOI TFET sidéealisées avec homo- et hétéro-jonction en Si, alliages SiGe ou composés InGaAs. Dans la deuxième partie de l’activité de doctorat un travail de caractérisation à basse températurea été réalisé sur les TFETs en Si et SiGe homo- et hétéro-jonction fabriqués par le centre de recherche français du CEA -LETI. L’objectif est d’estimer la présence de l’effet Tunnel comme principal mécanisme d’injection et la contribution d’autres mécanismes d’injection comme le Trap Assisted Tunneling.

Informations techniques

Type de contenu : Text
Format : PDF

Informations complémentaires

Entrepôt d'origine :

STAR : dépôt national des thèses électroniques françaises

Identifiant : 2014GRENT022
Type de ressource : Thèse