Assas Recherche | Modélisation et caractérisation des effets électriques de l’intégration du Ge dans les structures Métal/High-k/SiGe

Modélisation et caractérisation des effets électriques de l’intégration du Ge dans les structures Métal/High-k/SiGe (Document en Anglais)

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Modalités de diffusion de la thèse :

Thèse consultable sur internet, en texte intégral.

Informations sur les contributeurs

Auteur : Soussou Assawer

Soussou, Assawer

Nom

Soussou

Prénom

Assawer

Nationalité

Date de soutenance : 03-04-2014

Directeur(s) de thèse : Ghibaudo Gérard

Ghibaudo, Gérard

Nom

Ghibaudo

Prénom

Gérard

- Rideau Denis

Rideau, Denis

Nom

Rideau

Prénom

Denis

- Leroux Charles

Leroux, Charles

Nom

Leroux

Prénom

Charles

Etablissement de soutenance : Grenoble

Grenoble

Nom

Grenoble

Laboratoire : Centre de radiofréquences, optique et micro-nanoélectronique des Alpes (Grenoble, Isère, France ; Chambéry ; 2007-....)

Centre de radiofréquences, optique et micro-nanoélectronique des Alpes (Grenoble, Isère, France ; Chambéry ; 2007-....)

Nom

Centre de radiofréquences, optique et micro-nanoélectronique des Alpes (Grenoble, Isère, France ; Chambéry ; 2007-....)

- Laboratoire d'électronique et de technologie de l'information (Grenoble, Isère, France ; 1967-....)

Laboratoire d'électronique et de technologie de l'information (Grenoble, Isère, France ; 1967-....)

Nom

Laboratoire d'électronique et de technologie de l'information (Grenoble, Isère, France ; 1967-....)

- STMicroelectronics

STMicroelectronics

Nom

STMicroelectronics

Ecole doctorale : École doctorale électronique, électrotechnique, automatique, traitement du signal (Grenoble ; 199.-....)

École doctorale électronique, électrotechnique, automatique, traitement du signal (Grenoble ; 199.-....)

Nom

École doctorale électronique, électrotechnique, automatique, traitement du signal (Grenoble ; 199.-....)

Informations générales

Discipline : Nanoélectronique et nanotechnologie
Classification : Sciences de l'ingénieur

Mots-clés libres : Modélisation, Caractérisation, SiGe, Extraction des paramètres électriques, Travail de sortie effectif, Charges et dipôles
Mots-clés :

MOS (électronique)

Résumé : L'introduction du SiGe dans les pMOS (Bulk et FDSOI) exige un bon contrôle de la tension de seuil (VT). Ceci nécessite une extraction précise des paramètres électriques ainsi qu'une compréhension des effets électriques du Ge dans de tels dispositifs. Dans cette thèse, nous avons d'abord proposé des méthodes pour une identification précise des paramètres électriques du « gate stack »: VT, la tension de bande plate (VFB) et l'épaisseur équivalente d'oxyde (EOT). Ces méthodes ont été validées avec des simulations Poisson-Schrödinger (PS) et appliquées avec succès aux mesures. Dans un second temps, nous avons étudié les effets électriques du Ge sur les paramètres du « gate stack » des pMOS. La comparaison des caractérisations électriques (C-V) avec les simulations PS a montré un décalage supplémentaire du travail de sortie effectif qui croit avec le Ge. Des caractérisations STEM, EELS et SIMS ont prouvé que ce décalage est due à la présence de dipôles à l'interface SiGe/oxyde.

Informations techniques

Type de contenu : Text
Format : PDF

Informations complémentaires

Entrepôt d'origine :

STAR : dépôt national des thèses électroniques françaises

Identifiant : 2014GRENT018
Type de ressource : Thèse