Assas Recherche | Caractérisation et modélisation de la fiabilité des transistors MOS en Radio Fréquence

Caractérisation et modélisation de la fiabilité des transistors MOS en Radio Fréquence (Document en Français, Anglais, Anglais)

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Modalités de diffusion de la thèse :

Thèse consultable sur internet, en texte intégral.

Informations sur les contributeurs

Auteur : Negre (Negre), Laurent

Negre (Negre), Laurent

Nom

Negre

Nom de naissance

Negre

Prénom

Laurent

Nationalité

Français

Date de soutenance : 14-12-2011

Directeur(s) de thèse : Ghibaudo Gérard

Ghibaudo, Gérard

Nom

Ghibaudo

Prénom

Gérard

Etablissement de soutenance : Grenoble

Grenoble

Nom

Grenoble

Laboratoire : Centre de radiofréquences, optique et micro-nanoélectronique des Alpes (Grenoble, Isère, France ; Chambéry ; 2007-....)

Centre de radiofréquences, optique et micro-nanoélectronique des Alpes (Grenoble, Isère, France ; Chambéry ; 2007-....)

Nom

Centre de radiofréquences, optique et micro-nanoélectronique des Alpes (Grenoble, Isère, France ; Chambéry ; 2007-....)

Ecole doctorale : École doctorale électronique, électrotechnique, automatique, traitement du signal (Grenoble ; 199.-....)

École doctorale électronique, électrotechnique, automatique, traitement du signal (Grenoble ; 199.-....)

Nom

École doctorale électronique, électrotechnique, automatique, traitement du signal (Grenoble ; 199.-....)

Informations générales

Discipline : Sciences et technologie industrielles
Classification : Sciences de l'ingénieur

Mots-clés libres : Fiabilité, Radio-fréquence, Transistor MOS, Modèle, Caractérisation, Quasi-statique
Mots-clés :

Radio à transistors

Résumé : Les produits issus des technologies Silicium tendent à exploiter au maximum les performancesdes transistors MOS tout en les soumettant à des profils de mission très agressifs du point de vuede la fiabilité. Les concepteurs sont ainsi à la recherche du meilleur compromis entre performanceet fiabilité.Historiquement, l’étude de la fiabilité du transistor MOS et le développement des modèlessous jacents ont été menés sur la base de contrainte de vieillissement statique. Avec le développementdes produits à hautes performances dans le domaine de la radiofréquence (RF), laquestion de la fiabilité pour ce type d’application se pose. Ainsi, une extension des modèles defiabilité doit être réalisée afin de quantifier le vieillissement des paramètres clés RF soumis àdes contraintes statiques mais également RF. C’est cette extension de la fiabilité des transistorsMOS dans le domaine RF qui constitue le sujet de ce travail de thèse.Dans ce manuscrit, le fonctionnement du transistor MOS est décrit et sa fiabilité est introduite.Les différents mécanismes de dégradation sont étudiés et leurs modèles associés décrits.Sont ensuite présentés un banc de mesure et une méthodologie nécessaire à l’étude du vieillissementdes transistors dans le domaine RF, ainsi qu’à l’extension des modèles de fiabilité audomaine RF.

Informations techniques

Type de contenu : Text, Text, Text
Format : PDF

Informations complémentaires

Entrepôt d'origine :

STAR : dépôt national des thèses électroniques françaises

Identifiant : 2011GRENT126
Type de ressource : Thèse