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Design methodology for millimeter wave integrated circuits : application to SiGe BiCMOS LNAs (Document en Anglais)
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  • http://www.theses.fr/2011BOR14284/abesLien brisé : nonDroits d'accès : non autorisé
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Modalités de diffusion de la thèse :
  • Thèse soumise à l'embargo de l'auteur jusqu'au 13/07/2016 (communication intranet).
 
Informations sur les contributeurs
Auteur : Severino (Severino), Raffaele Roberto
Severino (Severino), Raffaele Roberto
Nom
Severino
Nom de naissance
Severino
Prénom
Raffaele Roberto
Nationalité
Italien

Date de soutenance : 24-06-2011

Directeur(s) de thèse : Begueret Jean-Baptiste
Begueret, Jean-Baptiste
Nom
Begueret
Prénom
Jean-Baptiste
- Taris Thierry
Taris, Thierry
Nom
Taris
Prénom
Thierry


Etablissement de soutenance : Bordeaux 1
Bordeaux 1
Nom
Bordeaux 1

Laboratoire : Laboratoire de l'intégration du matériau au système (Talence, Gironde)
Laboratoire de l'intégration du matériau au système (Talence, Gironde)
Nom
Laboratoire de l'intégration du matériau au système (Talence, Gironde)

Ecole doctorale : École doctorale des sciences physiques et de l’ingénieur (Talence, Gironde ; 1995-....)
École doctorale des sciences physiques et de l’ingénieur (Talence, Gironde ; 1995-....)
Nom
École doctorale des sciences physiques et de l’ingénieur (Talence, Gironde ; 1995-....)

  
Informations générales
Discipline : Electronique
Classification : Physique, Sciences de l'ingénieur

Mots-clés libres : Conception des Circuits Intégrés, Bande Millimetrique, Amplificateur Faible-bruit, SiGe BiCMOS
Mots-clés :
  • Circuits intégrés - Construction
  • Amplificateurs faible bruit
  • Ondes millimétriques
Résumé : Grace aux récents développements des technologies d’intégration, il est aujourd’hui possible d’envisager la réalisation de circuits et systèmes intégrés sur Silicium fonctionnant à des fréquences auparavant inatteignables. Par conséquence, depuis quelques années, on assiste à la naissance de nouvelles applications en bande millimétrique, comme la communication sans fil à haut-débit à 60GHz, les radars automobiles à 76-77 et 79-82GHz, et l’imagerie millimétrique à 94GHz.Cette thèse vise, en premier lieu, à la définition d’une méthodologie de conception des circuits intégrés en bande millimétrique. Elle est par la suite validée au travers de son application à la conception des amplificateurs faible-bruit en technologie BiCMOS SiGe. Dans ce contexte, une attention particulière a été portée au développement d’une stratégie de conception et de modélisation des inductances localisées. Plusieurs exemples d’amplificateurs faible-bruit ont été réalisés, à un ou deux étages, employant des composants inductifs localisés ou distribués, à 60, 80 et 94 GHz. Tous ces circuits présentent des caractéristiques au niveau de l’état de l’art dans le domaine, ainsi en confirmant l’exactitude de la méthodologie de conception et son efficacité sur toute la planche de fréquence considérée. En outre, la réalisation d’un récepteur intégré pour applications automobiles à 80GHz est aussi décrite comme exemple d’une possible application système, ainsi que la co-intégration d’un amplificateur faible-bruit avec une antenne patch millimétrique intégrée sur Silicium.
  
Informations techniques
Type de contenu : Text
Format : PDF
  
Informations complémentaires
Entrepôt d'origine : STAR : dépôt national des thèses électroniques françaises
Identifiant : 2011BOR14284
Type de ressource : Thèse